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삼성전자, 8조원 들여 평택 낸드플래시 생산라인 증설
기사입력 2020-06-01 11:33:29. 폰트 폰트확대폰트축소

삼성전자가 평택캠퍼스 2라인에 약 8조원을 투자해 최첨단 낸드플래시 생산라인을 증설한다.

지난달 21일 10조원대 초미세 극자외선(EUV) 파운드리 라인 증설 방침을 밝힌지 열흘 만에 나온 추가계획이다.

삼성전자는 경기도 평택캠퍼스 2라인(P2라인)에 낸드플래시 생산라인을 추가로 구축한다고 1일 발표했다.

계지난달 평택 2라인에 EUV 파운드리와 함께 낸드플래시 생산을 위한 클린룸 공사에 착수했고, 내년 하반기부터 5나노 이하 EUV와 함께 최첨단 V낸드 제품을 양산할 계획이다.

이번 추가 투자로 평택캠퍼스는 2015년 단지 조성을 위한 첫 삽을 뜬 지 5년 만에 메모리 반도체와 비메모리 반도체를 망라하는 최첨단 반도체 복합 생산기지로 거듭나게 됐다.

삼성전자는 평택캠퍼스 2라인의 1개 층을 EUV 파운드리 라인과 낸드플래시 라인으로, 다른 1개 층에는 메모리 반도체인 D램 생산 라인으로 활용할 것으로 알려졌다. 평택 2라인의 D램 생산 설비는 이미 작년부터 공사가 진행돼 연내 가동을 앞두고 있다.

투자금액을 공개하진 않았지만 지난달 발표한 파운드리 라인은 9조∼10조원, 이번 낸드플래시 라인은 7조∼8조원 규모에 달할 것이란 게 업계 분석이다.

이재용 삼성전자 부회장은 작년 4월 시스템 반도체 분야에 133조원을 투자하는 ‘반도체 비전 2020’을 발표했다.

삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 최철 부사장은 “이번 투자는 불확실한 환경 속에서도 메모리 초격차를 더욱 확대하기 위한 결정”이라며 “최고의 제품으로 국가 경제와 글로벌 IT산업 성장에 기여할 것”이라고 말했다. 안종호기자



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